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BAS16

详细参数
型号:BAS16
BAS16
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS:ROHS 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装:剪切带 (CT)
说明:DIODE SMALL SIG 85V 0.2A SOT23-3
其它图纸:Diode Circuit
PCN Design/Specification:Mold Compound 12/Dec/2007
PCN Assembly/Origin:SOT23 Manufacturing Source 31/May2013
标准包装:1
类别:分立式导体产品
家庭:单二极管/整流器
系列:-
包装:剪切带 (CT)
二极管类型:标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85V
电流 - 平均整流 (Io):200mA
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1.25V @ 150mA
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr):6ns
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V
不同?Vr、F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
热阻:*
工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
产品目录页面:1611 (CN2011-ZH PDF)
其它名称:BAS16FSCT
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  6年年资
BAS16 E6327
INFINEON 
SOT23 
16+ 
8713 
12-12
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  6年年资
BAS16H
NXP 
SOT-323 
16+ 
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  6年年资
BAS16LT1
ON 
SOT-23 
16+ 
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  6年年资
BAS16LT1G
ON 
SOT-23 
16+ 
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12-12
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  6年年资
BAS16Q-7-F
DIODES 
SOT23 
16+ 
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  6年年资
BAS16S H6327
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SOT363 
16+ 
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  6年年资
BAS16TW-7-F
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SOT363 
16+ 
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  6年年资
BAS16U
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SOT-163 
16+ 
8720 
12-12
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  6年年资
BAS16W
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SOT323 
16+ 
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  6年年资
BAS16W-7-F
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SOT323 
16+ 
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  6年年资
BAS16WT1G
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SOT-323 
16+ 
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  9年年资 
BAS16LT1G
ON 
SOT-23 
18+ 
20000 
12-12
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  8年年资
BAS16LP-7-F
DIODES 
DFN1006 
18+ 
738000 
12-12
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  8年年资
BAS16UE6327
INFINEON 
SOT-163 
18+ 
781000 
12-12
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  6年年资
BAS16
NXP 
SOT23 
16+ 
12000 
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  6年年资
BAS16 E6327
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SOT23 
16+ 
12000 
12-12
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  6年年资
BAS16-03W E6327
INFINEON 
SOD323 
16+ 
12000 
12-12
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BAS16H
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SOD123 
16+ 
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  6年年资
BAS16HT1G
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SOD323 
16+ 
12000 
12-12
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  6年年资
BAS16LT1
ON 
SOT-23 
16+ 
2501 
12-12
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BAS16LT1G
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12000 
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BAS16Q-7-F
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SOT23 
16+ 
2502 
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SOT363 
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12000 
12-12
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BAS16TW-7-F
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SOT363 
16+ 
2511 
12-12
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BAS16U
INFINEON 
SOT-163 
16+ 
2499 
12-12
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BAS16VY
NXP 
SOT-363 
16+ 
12000 
12-12
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BAS16W
NXP 
SOT323 
16+ 
2504 
12-12
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BAS16W-7-F
DIODES 
SOT323 
16+ 
2512 
12-12
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BAS16WT1G
ON 
SOT-323 
16+ 
2505 
12-12
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电话:0755-82772348
地址:██货到付款██福田区振华路华强北深纺大厦C座2楼K11,投诉电话0755-82772978(可开17%增票)旭弈鑫科技务实质量,专注渠道,以诚信求发展。
  12年年资 
BAS16HT1G
客户群大族激光、中兴物联、国防科大、哈工大、中科院、中电五所、华为、富士康等 
认证现货优势渠道货到付款12年信誉专业专注全新品质客户至上 
客户群航天科工/大族激光、国防科大、哈工大、中科院、中电五所、华为、富士康等 
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12-12
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